기술 :: |
SDRAM |
상품 카테고리 :: |
메모리 ics |
기억 영역형 :: |
휘발성 |
설치 유형:: |
표면 마운트 |
메모리 형식:: |
드라마 |
저장 :: |
256MB (8M x 32) |
작동 온도 :: |
0℃~70℃(TA) |
전압 - 전원 공급 장치:: |
3V ~ 3.6V |
메모리 인터페이스:: |
병렬로 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: |
14ns |
클록 주파수:: |
143MHz |
면접시간 :: |
6 나노 초 |
패키지/쉘:: |
86-TFSOP(0.400", 폭 10.16mm) |
제조사:: |
마이크론 테크놀러지 |
기술 :: |
SDRAM |
상품 카테고리 :: |
메모리 ics |
기억 영역형 :: |
휘발성 |
설치 유형:: |
표면 마운트 |
메모리 형식:: |
드라마 |
저장 :: |
256MB (8M x 32) |
작동 온도 :: |
0℃~70℃(TA) |
전압 - 전원 공급 장치:: |
3V ~ 3.6V |
메모리 인터페이스:: |
병렬로 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: |
14ns |
클록 주파수:: |
143MHz |
면접시간 :: |
6 나노 초 |
패키지/쉘:: |
86-TFSOP(0.400", 폭 10.16mm) |
제조사:: |
마이크론 테크놀러지 |