기술 :: |
SDRAM - 모바일 LPDDR |
상품 카테고리 :: |
메모리 ics |
기억 영역형 :: |
휘발성 물질 |
Factory Stock :: |
0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: |
15 나노 초 |
공급자 소자 패키지 :: |
90-vfbga (8x13) |
엑세스 시간 :: |
5 나노 초 |
메모리 형식:: |
DRAM |
상태 부분 :: |
액티브 |
메모리 용량 :: |
128MB (4M x 32) |
포장:: |
테이프 & ; 릴 (TR) |
@ qty :: |
0 |
작동 온도 :: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
최소 수량 :: |
2500 |
메모리 인터페이스:: |
대비 |
패키지 / 케이스:: |
90-tfbga |
증가하는 타입 :: |
표면 마운트 |
클록 주파수:: |
200MHz |
전압 - 공급 :: |
1.7 V ~ 1.95 V |
시리즈 :: |
- |
제조사:: |
윈본드 전자공학 |
기술 :: |
SDRAM - 모바일 LPDDR |
상품 카테고리 :: |
메모리 ics |
기억 영역형 :: |
휘발성 물질 |
Factory Stock :: |
0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: |
15 나노 초 |
공급자 소자 패키지 :: |
90-vfbga (8x13) |
엑세스 시간 :: |
5 나노 초 |
메모리 형식:: |
DRAM |
상태 부분 :: |
액티브 |
메모리 용량 :: |
128MB (4M x 32) |
포장:: |
테이프 & ; 릴 (TR) |
@ qty :: |
0 |
작동 온도 :: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
최소 수량 :: |
2500 |
메모리 인터페이스:: |
대비 |
패키지 / 케이스:: |
90-tfbga |
증가하는 타입 :: |
표면 마운트 |
클록 주파수:: |
200MHz |
전압 - 공급 :: |
1.7 V ~ 1.95 V |
시리즈 :: |
- |
제조사:: |
윈본드 전자공학 |