분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
구멍을 통해 |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
검증됩니다 |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
10명의 부인 |
공급자의 장치 패키지: |
28-PDIP |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
마이크로칩 테크놀로지 |
메모리 용량: |
64Kbit |
전압 - 공급: |
4.5V ~ 5.5V |
엑세스 시간: |
150 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
28-DIP(0.600", 15.24mm) |
메모리구성: |
8K X 8 |
작동 온도: |
-40' C ~ 85' C (TC) |
기술: |
EEPROM |
기본 제품 번호: |
AT28C64 |
메모리 포맷: |
EEPROM |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
구멍을 통해 |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
검증됩니다 |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
10명의 부인 |
공급자의 장치 패키지: |
28-PDIP |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
마이크로칩 테크놀로지 |
메모리 용량: |
64Kbit |
전압 - 공급: |
4.5V ~ 5.5V |
엑세스 시간: |
150 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
28-DIP(0.600", 15.24mm) |
메모리구성: |
8K X 8 |
작동 온도: |
-40' C ~ 85' C (TC) |
기술: |
EEPROM |
기본 제품 번호: |
AT28C64 |
메모리 포맷: |
EEPROM |