분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
트레이 |
시리즈: |
MX30UF |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
25 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
48-TSOP |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
마크로닉스 |
메모리 용량: |
4Gbit |
전압 - 공급: |
1.7V ~ 1.95V |
엑세스 시간: |
25 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭) |
메모리구성: |
512M X 8 |
작동 온도: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
기술: |
플래시 - NAND (SLC) |
기본 제품 번호: |
MX30UF4 |
메모리 포맷: |
플래시 |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
트레이 |
시리즈: |
MX30UF |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
25 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
48-TSOP |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
마크로닉스 |
메모리 용량: |
4Gbit |
전압 - 공급: |
1.7V ~ 1.95V |
엑세스 시간: |
25 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭) |
메모리구성: |
512M X 8 |
작동 온도: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
기술: |
플래시 - NAND (SLC) |
기본 제품 번호: |
MX30UF4 |
메모리 포맷: |
플래시 |