제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: DDR4 8GB X16 FBGA 7.5X13(X1.2)
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
8Gbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
NDQ86P |
기억기접합: |
포드 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
15 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
96-에프비지에이 (7.5x13) |
기억 영역형: |
휘발성 물질 |
Mfr: |
인시니스 테크놀로지 코퍼레이션 |
클럭 주파수: |
1.6 기가헤르츠 |
전압 - 공급: |
1.14V ~ 1.26V |
패키지 / 케이스: |
96-tfbga |
메모리구성: |
512M x 16 |
작동 온도: |
-40' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC) |
기술: |
SDRAM - DDR4 |
엑세스 시간: |
18 나노 초 |
메모리 포맷: |
DRAM |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
8Gbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
NDQ86P |
기억기접합: |
포드 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
15 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
96-에프비지에이 (7.5x13) |
기억 영역형: |
휘발성 물질 |
Mfr: |
인시니스 테크놀로지 코퍼레이션 |
클럭 주파수: |
1.6 기가헤르츠 |
전압 - 공급: |
1.14V ~ 1.26V |
패키지 / 케이스: |
96-tfbga |
메모리구성: |
512M x 16 |
작동 온도: |
-40' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC) |
기술: |
SDRAM - DDR4 |
엑세스 시간: |
18 나노 초 |
메모리 포맷: |
DRAM |
