제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: IC EEPROM 16KBIT I2C 8TDFN
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
16Kbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
I2C |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
5명의 부인 |
공급자의 장치 패키지: |
8-TDFN(2x3) |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
마이크로칩 테크놀로지 |
클럭 주파수: |
400 킬로 헤르츠 |
전압 - 공급: |
2.5V ~ 5.5V |
엑세스 시간: |
900 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
8-WFDFN 노출된 패드 |
메모리구성: |
2K Ｘ 8 |
작동 온도: |
-40°C ~ 125°C(TA) |
기술: |
EEPROM |
기본 제품 번호: |
24LC16B |
메모리 포맷: |
EEPROM |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
16Kbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
I2C |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
5명의 부인 |
공급자의 장치 패키지: |
8-TDFN(2x3) |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
마이크로칩 테크놀로지 |
클럭 주파수: |
400 킬로 헤르츠 |
전압 - 공급: |
2.5V ~ 5.5V |
엑세스 시간: |
900 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
8-WFDFN 노출된 패드 |
메모리구성: |
2K Ｘ 8 |
작동 온도: |
-40°C ~ 125°C(TA) |
기술: |
EEPROM |
기본 제품 번호: |
24LC16B |
메모리 포맷: |
EEPROM |
