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MT54W1MH18JF-7.5

제품 상세정보

지불과 운송 용어

설명: IC SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA

최고의 가격을 얻으십시오
강조하다:
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
메모리 용량:
18Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
QDR™
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
HSTL
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
165-에프비지에이 (13x15)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
마이크론 테크놀러지.
클럭 주파수:
133 마하즈
전압 - 공급:
1.7V ~ 1.9V
패키지 / 케이스:
165-TBGA
메모리구성:
1M x 18
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SRAM - 동기식
엑세스 시간:
500이지 추신
메모리 포맷:
SRAM
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
메모리 용량:
18Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
QDR™
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
HSTL
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
165-에프비지에이 (13x15)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
마이크론 테크놀러지.
클럭 주파수:
133 마하즈
전압 - 공급:
1.7V ~ 1.9V
패키지 / 케이스:
165-TBGA
메모리구성:
1M x 18
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SRAM - 동기식
엑세스 시간:
500이지 추신
메모리 포맷:
SRAM
MT54W1MH18JF-7.5
SRAM - 동기 메모리 IC 18Mbit HSTL 133 MHz 500 ps 165-FBGA (13x15)
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