| 분류: | 융합 회로 (IC)
기억력
기억력 | 메모리 용량: | 128Kbit | 제품 상태: | 새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다 | 장착형: | 표면 마운트 | 패키지: | 테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® | 시리즈: | - | 프로그램 가능한 디기키: | 확인되지 않았습니다. | 기억기접합: | I2C | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: | 5명의 부인 | 공급자의 장치 패키지: | 8-TSSOP-BJ | 기억 영역형: | 비휘발성입니다 | Mfr: | 롬 반도체 | 클럭 주파수: | 1 마하즈 | 전압 - 공급: | 1.7V ~ 5.5V | 패키지 / 케이스: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm 너비) | 메모리구성: | 16K X 8 | 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) | 기술: | EEPROM | 기본 제품 번호: | BR24G128 | 메모리 포맷: | EEPROM | 
| 분류: | 융합 회로 (IC)
기억력
기억력 | 
| 메모리 용량: | 128Kbit | 
| 제품 상태: | 새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다 | 
| 장착형: | 표면 마운트 | 
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® | 
| 시리즈: | - | 
| 프로그램 가능한 디기키: | 확인되지 않았습니다. | 
| 기억기접합: | I2C | 
| 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: | 5명의 부인 | 
| 공급자의 장치 패키지: | 8-TSSOP-BJ | 
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 | 
| Mfr: | 롬 반도체 | 
| 클럭 주파수: | 1 마하즈 | 
| 전압 - 공급: | 1.7V ~ 5.5V | 
| 패키지 / 케이스: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm 너비) | 
| 메모리구성: | 16K X 8 | 
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) | 
| 기술: | EEPROM | 
| 기본 제품 번호: | BR24G128 | 
| 메모리 포맷: | EEPROM |