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ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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71V25761Y5S200PFG

제품 상세정보

지불과 운송 용어

설명: IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP

최고의 가격을 얻으십시오
강조하다:
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
메모리 용량:
4.5Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
100-tqfp (14x20)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
IDT, 집적 소자 테크놀리지사
클럭 주파수:
200MHz
전압 - 공급:
3.135V ~ 3.465V
엑세스 시간:
3.1ns
패키지 / 케이스:
100-LQFP
메모리구성:
128K x 36
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SRAM - 동시에 일어나는, SDR
기본 제품 번호:
71V25761
메모리 포맷:
SRAM
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
메모리 용량:
4.5Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
100-tqfp (14x20)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
IDT, 집적 소자 테크놀리지사
클럭 주파수:
200MHz
전압 - 공급:
3.135V ~ 3.465V
엑세스 시간:
3.1ns
패키지 / 케이스:
100-LQFP
메모리구성:
128K x 36
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SRAM - 동시에 일어나는, SDR
기본 제품 번호:
71V25761
메모리 포맷:
SRAM
71V25761Y5S200PFG
SRAM - 동기화, SDR 메모리 IC 4.5Mbit 평행 200 MHz 3.1 ns 100-TQFP (14x20)
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