제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 16MBIT, 3.0V(2.3V~3.6V), -4
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
16Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
- |
기억기접합: |
SPI |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
8us, 4 부인 |
공급자의 장치 패키지: |
8-SOIC |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
르네사스 전자 운영 서비스 제한 |
클럭 주파수: |
104 마하즈 |
전압 - 공급: |
2.3V ~ 3.6V |
패키지 / 케이스: |
8 SOIC (0.209 ", 5.30 밀리미터 폭) |
메모리구성: |
2M Ｘ 8 |
작동 온도: |
-40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC) |
기술: |
플래시 -도 또한 (SLC) |
엑세스 시간: |
7 나노 초 |
메모리 포맷: |
플래시 |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
16Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
- |
기억기접합: |
SPI |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
8us, 4 부인 |
공급자의 장치 패키지: |
8-SOIC |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
르네사스 전자 운영 서비스 제한 |
클럭 주파수: |
104 마하즈 |
전압 - 공급: |
2.3V ~ 3.6V |
패키지 / 케이스: |
8 SOIC (0.209 ", 5.30 밀리미터 폭) |
메모리구성: |
2M Ｘ 8 |
작동 온도: |
-40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC) |
기술: |
플래시 -도 또한 (SLC) |
엑세스 시간: |
7 나노 초 |
메모리 포맷: |
플래시 |
