제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: 32MBIT, 1.8V(1.7V~2V), -40?
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
32Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
기억기접합: |
SPI - 쿼드 입출력, QPI |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
150μs, 5ms |
공급자의 장치 패키지: |
8-SOIC |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
르네사스 전자 운영 서비스 제한 |
클럭 주파수: |
104 마하즈 |
전압 - 공급: |
1.7V ~ 2V |
패키지 / 케이스: |
8 SOIC (0.209 ", 5.30 밀리미터 폭) |
메모리구성: |
4M Ｘ 8 |
작동 온도: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
기술: |
플래시 -도 또한 (SLC) |
엑세스 시간: |
7 나노 초 |
메모리 포맷: |
플래시 |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
32Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
기억기접합: |
SPI - 쿼드 입출력, QPI |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
150μs, 5ms |
공급자의 장치 패키지: |
8-SOIC |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
르네사스 전자 운영 서비스 제한 |
클럭 주파수: |
104 마하즈 |
전압 - 공급: |
1.7V ~ 2V |
패키지 / 케이스: |
8 SOIC (0.209 ", 5.30 밀리미터 폭) |
메모리구성: |
4M Ｘ 8 |
작동 온도: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
기술: |
플래시 -도 또한 (SLC) |
엑세스 시간: |
7 나노 초 |
메모리 포맷: |
플래시 |
