제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: IC SRAM 9MBIT HSTL 165FBGA
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
9Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
QDR™ |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
HSTL |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
- |
공급자의 장치 패키지: |
165-에프비지에이 (13x15) |
기억 영역형: |
휘발성 물질 |
Mfr: |
마이크론 테크놀러지. |
클럭 주파수: |
167 마하즈 |
전압 - 공급: |
2.4V ~ 2.6V |
패키지 / 케이스: |
165-TBGA |
메모리구성: |
512K x 18 |
작동 온도: |
0°C ~ 70°C (TA) |
기술: |
SRAM - 동기식 |
엑세스 시간: |
2.5 나노 초 |
메모리 포맷: |
SRAM |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
9Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
QDR™ |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
HSTL |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
- |
공급자의 장치 패키지: |
165-에프비지에이 (13x15) |
기억 영역형: |
휘발성 물질 |
Mfr: |
마이크론 테크놀러지. |
클럭 주파수: |
167 마하즈 |
전압 - 공급: |
2.4V ~ 2.6V |
패키지 / 케이스: |
165-TBGA |
메모리구성: |
512K x 18 |
작동 온도: |
0°C ~ 70°C (TA) |
기술: |
SRAM - 동기식 |
엑세스 시간: |
2.5 나노 초 |
메모리 포맷: |
SRAM |
