분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
16Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
트레이 |
시리즈: |
EMxxLX |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
SPI - 8진법 입출력 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
- |
공급자의 장치 패키지: |
24-TBGA (6x8) |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
에버스핀 테크놀러지스사. |
클럭 주파수: |
200MHz |
전압 - 공급: |
1.65V ~ 2V |
패키지 / 케이스: |
24-tbga |
메모리구성: |
2M X 8 |
작동 온도: |
0°C ~ 70°C |
기술: |
MRAM(자기 저항 RAM) |
메모리 포맷: |
RAM |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
16Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
트레이 |
시리즈: |
EMxxLX |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
SPI - 8진법 입출력 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
- |
공급자의 장치 패키지: |
24-TBGA (6x8) |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
에버스핀 테크놀러지스사. |
클럭 주파수: |
200MHz |
전압 - 공급: |
1.65V ~ 2V |
패키지 / 케이스: |
24-tbga |
메모리구성: |
2M X 8 |
작동 온도: |
0°C ~ 70°C |
기술: |
MRAM(자기 저항 RAM) |
메모리 포맷: |
RAM |