분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
256Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
MXSMIOTM |
기억기접합: |
SPI - 쿼드 입출력, QPI, DTR |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
40μs, 3ms |
공급자의 장치 패키지: |
16-SOP |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
마크로닉스 |
클럭 주파수: |
133 마하즈 |
전압 - 공급: |
1.65V ~ 2V |
패키지 / 케이스: |
16-SOIC (0.295", 7.50mm 너비) |
메모리구성: |
64M X 4, 128M X 2, 256M X 1 |
작동 온도: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
기술: |
플래시 -도 또한 (SLC) |
엑세스 시간: |
8 나노 초 |
메모리 포맷: |
플래시 |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
256Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
MXSMIOTM |
기억기접합: |
SPI - 쿼드 입출력, QPI, DTR |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
40μs, 3ms |
공급자의 장치 패키지: |
16-SOP |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
마크로닉스 |
클럭 주파수: |
133 마하즈 |
전압 - 공급: |
1.65V ~ 2V |
패키지 / 케이스: |
16-SOIC (0.295", 7.50mm 너비) |
메모리구성: |
64M X 4, 128M X 2, 256M X 1 |
작동 온도: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
기술: |
플래시 -도 또한 (SLC) |
엑세스 시간: |
8 나노 초 |
메모리 포맷: |
플래시 |