제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: IC NVSRAM 64KBIT 병렬 28SOH
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
70 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
28-SOH |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
STM이크로전자 |
메모리 용량: |
64Kbit |
전압 - 공급: |
4.5V ~ 5.5V |
엑세스 시간: |
70 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
28-SOP(0.350", 8.89mm 폭), SNAPHAT 소켓 포함 |
메모리구성: |
8K Ｘ 8 |
작동 온도: |
0°C ~ 70°C (TA) |
기술: |
NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
기본 제품 번호: |
M48Z58 |
메모리 포맷: |
NVSRAM |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
70 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
28-SOH |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
STM이크로전자 |
메모리 용량: |
64Kbit |
전압 - 공급: |
4.5V ~ 5.5V |
엑세스 시간: |
70 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
28-SOP(0.350", 8.89mm 폭), SNAPHAT 소켓 포함 |
메모리구성: |
8K Ｘ 8 |
작동 온도: |
0°C ~ 70°C (TA) |
기술: |
NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
기본 제품 번호: |
M48Z58 |
메모리 포맷: |
NVSRAM |
