분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
구식 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
자동차, AEC-Q100 |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
55 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
44-SO |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
협력 메모리, Inc. |
메모리 용량: |
8Mbit |
전압 - 공급: |
4.5V ~ 5.5V |
엑세스 시간: |
55 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
44-SOIC(0.496", 12.60mm 폭) |
메모리구성: |
1M X 8, 512K X 16 |
작동 온도: |
-40°C ~ 125°C(TA) |
기술: |
플래시 -도 또한 |
기본 제품 번호: |
M29F800 |
메모리 포맷: |
플래시 |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
구식 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴® |
시리즈: |
자동차, AEC-Q100 |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
55 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
44-SO |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
협력 메모리, Inc. |
메모리 용량: |
8Mbit |
전압 - 공급: |
4.5V ~ 5.5V |
엑세스 시간: |
55 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
44-SOIC(0.496", 12.60mm 폭) |
메모리구성: |
1M X 8, 512K X 16 |
작동 온도: |
-40°C ~ 125°C(TA) |
기술: |
플래시 -도 또한 |
기본 제품 번호: |
M29F800 |
메모리 포맷: |
플래시 |