분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
마지막 시기 구입 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
트레이 |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
- |
공급자의 장치 패키지: |
2512-FCBGA(27x27) |
기억 영역형: |
휘발성 물질 |
Mfr: |
모시스(주) |
메모리 용량: |
1Gbit |
전압 - 공급: |
- |
엑세스 시간: |
2.7 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
2512-BGA, FCBGA |
메모리구성: |
144M x 8 |
작동 온도: |
- |
기술: |
SRAM, RLDRAM |
기본 제품 번호: |
MSQ230 |
메모리 포맷: |
RAM |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
마지막 시기 구입 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
트레이 |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
- |
공급자의 장치 패키지: |
2512-FCBGA(27x27) |
기억 영역형: |
휘발성 물질 |
Mfr: |
모시스(주) |
메모리 용량: |
1Gbit |
전압 - 공급: |
- |
엑세스 시간: |
2.7 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
2512-BGA, FCBGA |
메모리구성: |
144M x 8 |
작동 온도: |
- |
기술: |
SRAM, RLDRAM |
기본 제품 번호: |
MSQ230 |
메모리 포맷: |
RAM |