분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
8Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
SPI - 쿼드 입출력, QPI, DTR |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
800us |
공급자의 장치 패키지: |
8-WSON(6x5) |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc |
클럭 주파수: |
133 마하즈 |
전압 - 공급: |
2.3V ~ 3.6V |
패키지 / 케이스: |
8-WDFN 노출 패드 |
메모리구성: |
1M X 8 |
작동 온도: |
-40' C ~ 105' C (TA) |
기술: |
플래시 -도 또한 |
기본 제품 번호: |
IS25LP080 |
메모리 포맷: |
플래시 |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
메모리 용량: |
8Mbit |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
SPI - 쿼드 입출력, QPI, DTR |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
800us |
공급자의 장치 패키지: |
8-WSON(6x5) |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc |
클럭 주파수: |
133 마하즈 |
전압 - 공급: |
2.3V ~ 3.6V |
패키지 / 케이스: |
8-WDFN 노출 패드 |
메모리구성: |
1M X 8 |
작동 온도: |
-40' C ~ 105' C (TA) |
기술: |
플래시 -도 또한 |
기본 제품 번호: |
IS25LP080 |
메모리 포맷: |
플래시 |