제품 상세정보
지불과 운송 용어
설명: IC 램 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
자동차, AEC-Q100 |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
35 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
44-TSOP2 |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
에버스핀 테크놀러지스사. |
메모리 용량: |
2Mbit |
전압 - 공급: |
3V ~ 3.6V |
엑세스 시간: |
35 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
44 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) |
메모리구성: |
128K Ｘ 16 |
작동 온도: |
-40' Ｃ ~ 105' Ｃ (TA) |
기술: |
MRAM(자기 저항 RAM) |
기본 제품 번호: |
MR1A16 |
메모리 포맷: |
RAM |
분류: |
융합 회로 (IC)
기억력
기억력 |
제품 상태: |
액티브 |
장착형: |
표면 마운트 |
패키지: |
테이프 & 롤 (TR) |
시리즈: |
자동차, AEC-Q100 |
프로그램 가능한 디기키: |
확인되지 않았습니다. |
기억기접합: |
대비 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: |
35 나노 초 |
공급자의 장치 패키지: |
44-TSOP2 |
기억 영역형: |
비휘발성입니다 |
Mfr: |
에버스핀 테크놀러지스사. |
메모리 용량: |
2Mbit |
전압 - 공급: |
3V ~ 3.6V |
엑세스 시간: |
35 나노 초 |
패키지 / 케이스: |
44 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) |
메모리구성: |
128K Ｘ 16 |
작동 온도: |
-40' Ｃ ~ 105' Ｃ (TA) |
기술: |
MRAM(자기 저항 RAM) |
기본 제품 번호: |
MR1A16 |
메모리 포맷: |
RAM |
